L’alumni Mario Lanza revoluciona el camp de la nanoelectrònica i els semiconductors en inventar un microxip d’alta densitat d’integració realitzat amb materials bidimensionals

El científic i alumni de l’EUSS Mario Lanza, professor titular a la Universitat de Ciència i Tecnologia del Rei Abdullah (a Aràbia Saudita), acaba de revolucionar el camp de la nanoelectrònica i els semiconductors en inventar el primer microxip d’alta densitat d’integració realitzat amb materials bidimensionals (també anomenats 2D). El treball, titulat “Hybrid 2D/CMOS microxips for memristive applications”, serà publicat ben aviat a la revista Nature, i ja ha atret l’interès d’empreses capdavanteres en el camp dels semiconductors.

L’equip liderat pel professor Lanza ha integrat per primera vegada un material bidimensional aïllant, anomenat nitrur de bor hexagonal multicapa (d’uns 6 nanòmetres de gruix), sobre microxips que contenen transistors de silici de tecnologia CMOS – les sigles CMOS signifiquen complementary metal- oxide-semiconductor, un tipus de tecnologia que és present en tots els productes electrònics que utilitzem diàriament (telèfons, ordinadors, automòbils i electrodomèstics, entre molts altres). Segons explica el professor Lanza: “el nitrur de bor hexagonal fa les funcions de memristor, i el transistor fa les funcions de selector i limitador de corrent”. Després de comprovar que la integració es va realitzar amb èxit, els investigadors han interconnectat els dispositius (mitjançant litografia i evaporació de metall) per formar circuits matricials.

Aquest tipus de circuits, malgrat que encara són desconeguts per a la majoria de gent, són utilitzats en productes electrònics d’última generació tant per emmagatzemar informació (fabricació de memòries electròniques, com els USB) com per processar-la (fabricació de xarxes neuronals artificials per a sistemes d’intel·ligència artificial). Els dispositius híbrids 2D/CMOS fabricats per l’equip de l’alumni Lanza mostren un baix consum d’energia i una alta durabilitat, i a més la seva conductivitat es pot ajustar a diferents nivells de forma dinàmica aplicant impulsos elèctrics — una propietat anomenada spike-timing dependent plasticity —el qual es pot usar per fabricar xarxes neuronals artificials de molt baix consum energètic.

En el passat l’empresa IBM havia intentat integrar grafè en transistors per a aplicacions al camp de radiofreqüència, però la densitat d’integració era molt baixa i els dispositius no permetien emmagatzemar o processar informació. En canvi, els dispositius creats per l’equip del professor Lanza només mesuren 260 nanòmetres, i podrien realitzar-se molt més petits de manera molt senzilla si es disposen de microxips més avançats.

Aquest treball representa una fita al camp de la nanoelectrònica i els semiconductors no només per les altes prestacions dels dispositius i circuits fabricats, sinó també degut a l’alt nivell de maduresa tecnològica aconseguit — tots els processos utilitzats són compatibles amb la indústria dels semiconductors. És per això que tant ell com els membres del seu equip indiquen: “en el futur la majoria de microxips explotaran alguna de les moltes propietats exòtiques d’aquests materials”.

Enllaç a l’article: https://www.nature.com/articles/s41586-023-05973-1

Enllaç a la web del Professor Mario Lanza: https://lanza.kaust.edu.sa/

Torna a veure l’Open Circuit – Alumni Experiences del Mario Lanza:

L’EUSS participa en el Saló de l’Ensenyament 2023

Del 15 al 19 de març es va celebrar una nova edició del Saló de l’Ensenyament. L’estand de l’EUSS es va situar al Pavelló 1 de Fira Barcelona, espai reservat per als centres que imparteixen graus universitaris.

Personal i alumnat del centre van presentar l’oferta acadèmica pel curs 2023-2024 a les prop de 700 persones que es van interessar en els graus en enginyeries industrials de l’EUSS.

Un cop més es va poder comptar amb la col·laboració de l’equip d’EUSS MotorSport que van cedir el seu monoplaça, el qual va captar totes les mirades de les persones assistents.

Acreditació institucional de l’EUSS

L’EUSS ha obtingut l’acreditació institucional, amb l’informe favorable d’acreditació de l’Agència de Qualitat Universitària de Catalunya (AQU) i amb la resolució del Ministerio de Universidades.

Amb l’assoliment d’aquesta fita, tots els títols universitaris oficials que s’imparteixen a l’EUSS queden automàticament acreditats per un període de 6 anys.

A la web de l’EUSS està disponible tota la informació relacionada amb l’acreditació institucional.

AQU publica la notícia a la seva pròpia web, des de la qual es pot accedir a tots els informes del centre.

L’EUSS torna a participar en l’Espai de l’Estudiant de Valls

Els dies 9 i 10 de març va tenir lloc l’Espai de l’Estudiant, el saló de l’ensenyament de les comarques del tarragonès. Aquesta fira se celebra anualment a Valls (Alt Camp) i que inclou, entre d’altres, tota la proposta formativa en l’àmbit universitari i de cicles formatius de Catalunya.

En aquesta ocasió, la Sala Kursaal de Valls es va omplir amb més d’una seixantena d’expositors que presentaven la seva oferta formativa i l’EUSS també hi va ser present per segon any consecutiu, informant de la seva oferta de graus en enginyeria.