La publicació de la Dra. Elena Bartolomé, “Origin of the unusual ground state spin S=9 in a Cr10 Single Molecule Magnet”, ha estat destacada en la memoria anual de resultats del Sincrotró Europeu ESRF, situat a Grenoble La noticia apareguda als “ESRF Highlights 2022” [https://www.esrf.fr/UsersAndScience/Publications/Highlights] destaca que la tècnica de sincrotró XMCD (X-ray magnetic circular dichroism) ha estat clau per entendre el magnetisme de la roda de Cr10, que presenta un inusual espí S=9 relacionat amb canvis molts petits en les interaccions presents entre els ions de crom de la molècula.
Referència: ESRF Highlights 2022 – “Unravelling the origin of the intermediate spin ground State ina Cr10 single molecule magnet”, https://www.esrf.fr/UsersAndScience/Publications/Highlights
El Dr. Àngel Borrell acaba de publicar un article titulat “Improving voltage imbalance in inverter-based islanded microgrids during line-to-line short circuits” a la revista IET Power Electronics, en col·laboració amb investigadors del Departament d’Enginyeria Electrònica de la UPC a Vilanova i la Geltrú.
Els curtcircuits línia-línia son les pertorbacions que provoquen les corrents i desequilibris de tensió més grans en les microxarxes basades en inversors. En aquest article es presenta un esquema de control per els inversors que formen part de microxarxes aïllades, el qual limita el corrent a un valor segur durant aquests tipus de corts-circuits, mentre proporciona un desequilibri de tensió inferior en comparació amb les tècniques de limitació de corrent més avançades. Aquest esquema de control es basa en reduir tant l’amplitud de la tensió de referència amb l’amplitud màxima de la corrent de referència com la tensió de referència instantània només amb el component inductiu de la impedància virtual. La combinació d’aquestes dues accions de control proporciona un desequilibri de tensió baix, tal com revelen els estudis teòrics i experimentals. L’article inclou tant anàlisi teòrica com resultats experimentals per validar l’aproximació i demostrar la seva eficàcia. L’enfocament proposat ofereix millores significatives respecte a les tècniques existents i es pot aplicar a microxarxes que serveixen càrregues tant lineals com no lineals.
Referència: “Improving voltage imbalance in inverter-based islanded microgrids during line-to-line short circuits”, M. Castilla, J. Miret, L. García de Vicuña, A. Borrell, C. Alfaro, IET Power Electron. 2023;1–13.
La Yolanda porta 19 anys a l’EUSS i des de en fa un és cap de Gestió Acadèmica de la universitat, on es custodien expedients acadèmics, s’atenen sol·licituds dels i les estudiants i es tramiten beques, matrícules i títols…
Quant de temps portes a l’EUSS i quina ha estat la teva trajectòria?
Al setembre, farà 19 anys que treballo a l’EUSS. Vaig començar a la recepció de l’escola a jornada de tarda-nit. Compaginava, la feina amb els estudis de Relacions Laborals. Vaig cobrir de forma temporal la biblioteca durant la baixa d’una companya, coordinada amb el meu lloc a recepció. Uns anys després per poder donar suport a la Gestió Acadèmica, se’m va oferir la possibilitat d’entrar a treballar en aquest servei, i ara ja fa just un any degut a una reestructuració al departament, vaig promocionar com a cap de Gestió Acadèmica.
Quina és la funció de Gestió Acadèmica?
Som l’àrea encarregada de la gestió i el suport
administratiu de l’alumnat present i futur i professorat del centre.
Quin
tipus de tràmits administratius passen per aquí?
A Gestió Acadèmica gestionem i custodiem els expedients acadèmics, atenem les sol·licituds formulades pels i les estudiants, tramitem sol·licituds de reconeixements acadèmics, beques i tramitació de títols. Gestionem el procés de matriculació, accés i admissions entre d’altres funcions.
Com
valores el teu primer any en aquest càrrec? Hi ha hagut canvis?
Ha estat un any entretingut, tant per l’increment de feina, per un significant augment de matrícules als graus, així com per assolir noves responsabilitats pròpies del càrrec. He d’agrair a tot l’equip que formen part de Gestió Acadèmica, així com a direcció i administració de l’EUSS pel seu suport i confiança.
Com
és la relació amb els i les alumnes des d’aquest servei?
A Gestió Acadèmica donem informació i suport a tot l’alumnat que ho necessita. No redactem exàmens ni els corregim, per tant la relació, puc atrevir-me a dir, que és prou bona.
Quin és el o els dubtes o consultes “estrella” entre els i les estudiants?
“Truco a la meva mare i li expliques”. Si no li saps explicar li dius que ens escrigui un correu electrònic o bé ens truqui per telèfon.
“Quants crèdits em falten per acabar els estudis?” Els hi ensenyem com entrar dins del seu expedient i consultar les seves dades acadèmiques.
“Puc sol·licitar el títol abans de finalitzar?” No, només es pot sol·licitar el títol un cop l’estat del teu expedient és obert i amb disposició del títol.
Aviat
arrencarà el període de sol·licitud de beques. Quines hi ha i qui les pot
sol·licitar?
A partir del dia 2 de maig donem el tret de sortida a les beques de la Fundació Privada Rinaldi per al curs 2023-24. Visiteu el nostre apartat de beques de la web https://www.euss.cat/ca/graus-i-postgraus/beques-i-ajuts on trobareu informació detallada de les bases de la convocatòria. Per a qualsevol consulta o aclariment, contacteu amb gestioacademica@euss.cat
La setmana del 20 al 24 de març,
la Facultat de Ciències de l’Organització de la Universitat de Maribor
(Eslovènia) va organitzar la “International Staff Week 2023”, sota el
lema “Skills for the Future”.
Els objectius de la setmana eren
reforçar la cooperació entre les institucions participants, promoure la
mobilitat de personal i alumnat, i compartir bones pràctiques i experiències
sobre com les competències per al futur s’han d’integrar en l’ensenyament
universitari.
A més, la setmana es va incloure
en el marc de la “42nd International Conference on the Development of
Organizational Science”, congrés que va ressaltar la importància del
coneixement des de la interdisciplinarietat de personal universitari (acadèmic
i no acadèmic), científic, empresarial i social.
La “International Staff Week 2023” va acollir més d’una trentena de membres de personal docent i no docent de nacionalitats molt diverses, d’universitats d’arreu d’Europa: Alemanya, Croàcia, Finlàndia, Hongria, Kosovo, Polònia, Portugal, República Txeca, Sèrbia, Ucraïna, etc. L’Olga Vendrell, responsable de qualitat i membre de l’àrea TIC de l’EUSS, va ser una de les participants.
Participants a la “International Staff Week 2023”
Actualment, l’EUSS té un conveni de cooperació amb la Universitat de Maribor que promou la mobilitat d’estudiants i de membres del personal.
El científic i alumni de l’EUSS Mario Lanza, professor titular a la Universitat de Ciència i Tecnologia del Rei Abdullah (a Aràbia Saudita), acaba de revolucionar el camp de la nanoelectrònica i els semiconductors en inventar el primer microxip d’alta densitat d’integració realitzat amb materials bidimensionals (també anomenats 2D). El treball, titulat “Hybrid 2D/CMOS microxips for memristive applications”, serà publicat ben aviat a la revista Nature, i ja ha atret l’interès d’empreses capdavanteres en el camp dels semiconductors.
L’equip
liderat pel professor Lanza ha integrat per primera vegada un material
bidimensional aïllant, anomenat nitrur de bor hexagonal multicapa (d’uns 6
nanòmetres de gruix), sobre microxips que contenen transistors de silici de
tecnologia CMOS – les sigles CMOS signifiquen complementary metal-
oxide-semiconductor, un tipus de tecnologia que és present en tots els
productes electrònics que utilitzem diàriament (telèfons, ordinadors,
automòbils i electrodomèstics, entre molts altres). Segons explica el professor
Lanza: “el nitrur de bor hexagonal fa les funcions de memristor, i el
transistor fa les funcions de selector i limitador de corrent”. Després de
comprovar que la integració es va realitzar amb èxit, els investigadors han
interconnectat els dispositius (mitjançant litografia i evaporació de metall)
per formar circuits matricials.
Aquest tipus de circuits, malgrat que encara són desconeguts per a la majoria de gent, són utilitzats en productes electrònics d’última generació tant per emmagatzemar informació (fabricació de memòries electròniques, com els USB) com per processar-la (fabricació de xarxes neuronals artificials per a sistemes d’intel·ligència artificial). Els dispositius híbrids 2D/CMOS fabricats per l’equip de l’alumni Lanza mostren un baix consum d’energia i una alta durabilitat, i a més la seva conductivitat es pot ajustar a diferents nivells de forma dinàmica aplicant impulsos elèctrics — una propietat anomenada spike-timing dependent plasticity —el qual es pot usar per fabricar xarxes neuronals artificials de molt baix consum energètic.
En el passat
l’empresa IBM havia intentat integrar grafè en transistors per a aplicacions al
camp de radiofreqüència, però la densitat d’integració era molt baixa i els
dispositius no permetien emmagatzemar o processar informació. En canvi, els
dispositius creats per l’equip del professor Lanza només mesuren 260
nanòmetres, i podrien realitzar-se molt més petits de manera molt senzilla si
es disposen de microxips més avançats.
Aquest treball representa una fita al camp de la nanoelectrònica i els semiconductors no només per les altes prestacions dels dispositius i circuits fabricats, sinó també degut a l’alt nivell de maduresa tecnològica aconseguit — tots els processos utilitzats són compatibles amb la indústria dels semiconductors. És per això que tant ell com els membres del seu equip indiquen: “en el futur la majoria de microxips explotaran alguna de les moltes propietats exòtiques d’aquests materials”.
